IPI126N10N3 G
Número de Producto del Fabricante:

IPI126N10N3 G

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPI126N10N3 G-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

Inventario:

12804715
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IPI126N10N3 G Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
58A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12.6mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 46µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2500 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
94W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IPI126N

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
500
Otros nombres
IPI126N10N3G
IPI126N10N3 G-DG
IFEINFIPI126N10N3 G
2156-IPI126N10N3 G-IT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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